ATM2N65TE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATM2N65TE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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ATM2N65TE Datasheet (PDF)
atm2n65te.pdf
ATM2N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 2A DESCRIPTION The ATM2N65TE is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw
atm2n65tf.pdf
ATM2N65TF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 2A DESCRIPTION The ATM2N65TF is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw
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