Справочник MOSFET. ATM2N65TE

 

ATM2N65TE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATM2N65TE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ATM2N65TE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2N65TE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  agertech
 atm2n65te.pdf pdf_icon

ATM2N65TE

ATM2N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 2A DESCRIPTION The ATM2N65TE is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

 6.1. Size:410K  agertech
 atm2n65tf.pdf pdf_icon

ATM2N65TE

ATM2N65TF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 2A DESCRIPTION The ATM2N65TF is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

Другие MOSFET... AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , AON7506 , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , ATM4N65TE , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF .

History: RSE002N06 | FIR24N50APTG | FK3F0308

 

 
Back to Top

 


 
.