ATM4N65TE Todos los transistores

 

ATM4N65TE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM4N65TE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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ATM4N65TE datasheet

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ATM4N65TE

ATM4N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 650V Continuous Drain Current 4A DESCRIPTION The ATM4N65TE is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching

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History: NVMFS4841N | LSC55R140GF | NVTFS4823N

 

 

 

 

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