ATM4N65TE Todos los transistores

 

ATM4N65TE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM4N65TE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de ATM4N65TE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ATM4N65TE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  agertech
 atm4n65te.pdf pdf_icon

ATM4N65TE

ATM4N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 4A DESCRIPTION The ATM4N65TE is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching

Otros transistores... ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , IRFP450 , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C .

History: SI9926CDY | UTT25N08 | 2SK2572

 

 
Back to Top

 


 
.