Справочник MOSFET. ATM4N65TE

 

ATM4N65TE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATM4N65TE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ATM4N65TE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM4N65TE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  agertech
 atm4n65te.pdf pdf_icon

ATM4N65TE

ATM4N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 650V Continuous Drain Current: 4A DESCRIPTION The ATM4N65TE is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching

Другие MOSFET... ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , IRFP450 , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C .

History: GM4953 | FQA12P20 | KP780V9 | SI7143DP | RSS140N03TB | VBMB165R07S | ATM3400ANSA

 

 
Back to Top

 


 
.