ATM4N65TE - описание и поиск аналогов

 

ATM4N65TE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATM4N65TE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ATM4N65TE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM4N65TE даташит

 ..1. Size:646K  agertech
 atm4n65te.pdf pdf_icon

ATM4N65TE

ATM4N65TE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 650V Continuous Drain Current 4A DESCRIPTION The ATM4N65TE is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching

Другие MOSFET... ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , NCEP15T14 , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C .

History: ATM8N80TF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.