BLM2010E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM2010E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de BLM2010E MOSFET
BLM2010E Datasheet (PDF)
blm2010e.pdf

ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features V = 20V,I =7A DS DTyp.R
Otros transistores... ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , AONR21321 , AOTF4N60L , STP80NF70 , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B .
History: CS5M3710 | 2SK937 | DMNH6011LK3 | VS3622AP
History: CS5M3710 | 2SK937 | DMNH6011LK3 | VS3622AP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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