BLM2010E Todos los transistores

 

BLM2010E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM2010E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLM2010E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  belling
 blm2010e.pdf pdf_icon

BLM2010E

ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features V = 20V,I =7A DS DTyp.R

Otros transistores... ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , AONR21321 , AOTF4N60L , STP80NF70 , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B .

 

 
Back to Top

 


 
.