Справочник MOSFET. BLM2010E

 

BLM2010E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM2010E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для BLM2010E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM2010E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  belling
 blm2010e.pdf pdf_icon

BLM2010E

ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features V = 20V,I =7A DS DTyp.R

Другие MOSFET... ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , AONR21321 , AOTF4N60L , STP80NF70 , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B .

History: BLM6G22-30G | TPCP8004 | IRF7322D1 | SIR826DP | FHU4N65E | SSM6P41FE | OSG60R069HSF

 

 
Back to Top

 


 
.