Справочник MOSFET. BLM2010E

 

BLM2010E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLM2010E
   Маркировка: 2010E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 185 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для BLM2010E

 

 

BLM2010E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  belling
 blm2010e.pdf

BLM2010E BLM2010E

ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features V = 20V,I =7A DS DTyp.R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top