BLM2010E - описание и поиск аналогов

 

BLM2010E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM2010E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для BLM2010E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM2010E даташит

 ..1. Size:307K  belling
 blm2010e.pdf pdf_icon

BLM2010E

ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features V = 20V,I =7A DS D Typ.R

Другие MOSFET... ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , AONR21321 , AOTF4N60L , 10N65 , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B .

History: SI1046R | SSM3K72KFS | AP9922GEO | 2SK2218 | LSD80R980GT | AP72T02GH | 2SK2167

 

 

 

 

↑ Back to Top
.