IRFS620B Todos los transistores

 

IRFS620B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS620B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFS620B Datasheet (PDF)

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IRFS620B

November 2001IRF620B/IRFS620B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.0A, 200V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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IRFS620B

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IRFS620B

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IRFS620B

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: HM12N20D | FDP52N20 | P06P03LDG | HUFA76423S3ST | NCE65TF099F

 

 
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