Справочник MOSFET. IRFS620B

 

IRFS620B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS620B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS620B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS620B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  1
 irf620b irfs620b.pdf pdf_icon

IRFS620B

November 2001IRF620B/IRFS620B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.0A, 200V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS620B

 7.2. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS620B

 8.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS620B

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR21321 , AOTF4N60L , BLM2010E , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , 2N60 , IRFS621 , IRFS624B , IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P .

History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.