IRFS720B Todos los transistores

 

IRFS720B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS720B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.75 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFS720B datasheet

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IRFS720B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 1.408 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

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History: LSC65R280HT | CJMPD11

 

 

 

 

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