IRFS720B - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS720B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS720B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS720B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS720B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf pdf_icon

IRFS720B

November 2001IRF720B/IRFS720B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf pdf_icon

IRFS720B

 7.2. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf pdf_icon

IRFS720B

 7.3. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf pdf_icon

IRFS720B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 1.408 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B , IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , AO3401 , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D .

History: 2SK3592-01SJ | 4N65G-TF3T-T | IPD034N06N3G | OSG95R1K2PF | IRF7105Q | STD60NF55LT4

 

 
Back to Top

 


 
.