AF2301P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AF2301P
   Código: 01*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AF2301P

AF2301P Datasheet (PDF)

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af2301p.pdf

AF2301P20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Product Summary - Advanced trench process technology VDS = - 20V - High density cell design for ultra low on-resistance RDS (on), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =130m. - Excellent thermal and electrical capabilities RDS (on), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =190m. - Compact and low profile SOT-23 package Pin Descriptions Pin Assignments

0.1. Size:2936K cn vbsemi
af2301pwl.pdf

AF2301PWLwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: