AF2301P Todos los transistores

 

AF2301P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF2301P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AF2301P datasheet

 ..1. Size:133K  anachip
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AF2301P

AF2301P 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Product Summary - Advanced trench process technology VDS = - 20V - High density cell design for ultra low on-resistance RDS (on), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =130m . - Excellent thermal and electrical capabilities RDS (on), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =190m . - Compact and low profile SOT-23 package Pin Descriptions Pin Assignments

 0.1. Size:2936K  cn vbsemi
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AF2301P

AF2301PWL www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Otros transistores... IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B , IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , 75N75 , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K .

History: 2SK2315

 

 

 

 

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