Справочник MOSFET. AF2301P

 

AF2301P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AF2301P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AF2301P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF2301P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  anachip
 af2301p.pdf pdf_icon

AF2301P

AF2301P20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Product Summary - Advanced trench process technology VDS = - 20V - High density cell design for ultra low on-resistance RDS (on), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =130m. - Excellent thermal and electrical capabilities RDS (on), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =190m. - Compact and low profile SOT-23 package Pin Descriptions Pin Assignments

 0.1. Size:2936K  cn vbsemi
 af2301pwl.pdf pdf_icon

AF2301P

AF2301PWLwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B , IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , IRF520 , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.