AMS4210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMS4210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de AMS4210 MOSFET
AMS4210 Datasheet (PDF)
ams4210.pdf
AMS4210 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs GENERAL DESCRIPTION The AMS4210 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the synchronous DSONbuck converter applications. The AMS4210 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
Otros transistores... IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , STP65NF06 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED .
History: H4N60F | APM2071PD | EFC2K103NUZ | SWD068R08E8T | H4N60U | BRD7N65 | SUD50P06-15L
History: H4N60F | APM2071PD | EFC2K103NUZ | SWD068R08E8T | H4N60U | BRD7N65 | SUD50P06-15L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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