AMS4210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AMS4210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для AMS4210
AMS4210 Datasheet (PDF)
ams4210.pdf
AMS4210 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs GENERAL DESCRIPTION The AMS4210 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the synchronous DSONbuck converter applications. The AMS4210 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
Другие MOSFET... IRF624B , IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , STP65NF06 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED .
History: JMSH1006PE | UPA1759 | 2SK2002-01M | 2SJ606 | MCD3410
History: JMSH1006PE | UPA1759 | 2SK2002-01M | 2SJ606 | MCD3410
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet


