B1M160120HC Todos los transistores

 

B1M160120HC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B1M160120HC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.189 Ohm

Encapsulados: TO247

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B1M160120HC datasheet

 ..1. Size:856K  basicsemi
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B1M160120HC

B1M160120HC SiC MOSFET V 1200 V DS I (Tc=25 C) 20 A D R 160 m DS(on) Features Low On-Resistance with High Blocking Voltage Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, Rohs Compliant 1 2 3 Benefits High Frequency Operation Enabling higher switching frequency Increased power density Reduction of Heat Sink Requirement

Otros transistores... IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , IRF1405 , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET .

History: ME2612

 

 

 

 

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