B1M160120HC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: B1M160120HC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 118 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 73 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.189 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET B1M160120HC
B1M160120HC Datasheet (PDF)
b1m160120hc.pdf
B1M160120HC SiC MOSFET V 1200 VDS I (Tc=25C) 20 A D R 160 m DS(on)Features: Low On-Resistance with High Blocking Voltage Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, Rohs Compliant 1 2 3 Benefits High Frequency Operation Enabling higher switching frequency Increased power density Reduction of Heat Sink Requirement
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