B1M160120HC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: B1M160120HC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 118 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 73 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.189 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для B1M160120HC
B1M160120HC Datasheet (PDF)
..1. Size:856K basicsemi
b1m160120hc.pdf
b1m160120hc.pdf
B1M160120HC SiC MOSFET V 1200 VDS I (Tc=25C) 20 A D R 160 m DS(on)Features: Low On-Resistance with High Blocking Voltage Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, Rohs Compliant 1 2 3 Benefits High Frequency Operation Enabling higher switching frequency Increased power density Reduction of Heat Sink Requirement
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
