B1M160120HC - описание и поиск аналогов

 

B1M160120HC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: B1M160120HC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.189 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для B1M160120HC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B1M160120HC даташит

 ..1. Size:856K  basicsemi
 b1m160120hc.pdf pdf_icon

B1M160120HC

B1M160120HC SiC MOSFET V 1200 V DS I (Tc=25 C) 20 A D R 160 m DS(on) Features Low On-Resistance with High Blocking Voltage Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, Rohs Compliant 1 2 3 Benefits High Frequency Operation Enabling higher switching frequency Increased power density Reduction of Heat Sink Requirement

Другие MOSFET... IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , IRF1405 , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET .

History: AP3N3R3M | AP9987GJ | SPC18N50G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.