Справочник MOSFET. B1M160120HC

 

B1M160120HC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: B1M160120HC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.189 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для B1M160120HC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B1M160120HC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  basicsemi
 b1m160120hc.pdf pdf_icon

B1M160120HC

B1M160120HC SiC MOSFET V 1200 VDS I (Tc=25C) 20 A D R 160 m DS(on)Features: Low On-Resistance with High Blocking Voltage Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, Rohs Compliant 1 2 3 Benefits High Frequency Operation Enabling higher switching frequency Increased power density Reduction of Heat Sink Requirement

Другие MOSFET... IRFS631 , IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , NCEP15T14 , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET .

History: HUFA76429S3ST | AG4N60S | APT8018L2VFR | HFP2N65U | BLP039N08-D

 

 
Back to Top

 


 
.