CE3512K2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CE3512K2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 4 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 3 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.027 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 19 Ohm
Encapsulados: MICRO-X
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CE3512K2 datasheet
ce3512k2.pdf
RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI
Otros transistores... IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , 7N60 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW .
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