CE3512K2 Todos los transistores

 

CE3512K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CE3512K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.027 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 19 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO-X
 

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CE3512K2 Datasheet (PDF)

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CE3512K2

RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain: NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI

Otros transistores... IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , 7N60 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW .

History: H4N60U | BUZ323

 

 
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