CE3512K2 - описание и поиск аналогов

 

CE3512K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CE3512K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 4 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.027 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 19 Ohm

Тип корпуса: MICRO-X

Аналог (замена) для CE3512K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CE3512K2 даташит

 ..1. Size:752K  cel
 ce3512k2.pdf pdf_icon

CE3512K2

RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI

Другие MOSFET... IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , 7N60 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.