Справочник MOSFET. CE3512K2

 

CE3512K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CE3512K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.027 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 19 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-X
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CE3512K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  cel
 ce3512k2.pdf pdf_icon

CE3512K2

RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain: NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDD603AL | NTK3043NT1G | 2SK3479-Z | 2SJ246L | AUIRLS3034-7P | PJW4N06A | PHP42N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.