Справочник MOSFET. CE3512K2

 

CE3512K2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CE3512K2
   Маркировка: C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.39 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.027 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 19 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-X

 Аналог (замена) для CE3512K2

 

 

CE3512K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  cel
 ce3512k2.pdf

CE3512K2 CE3512K2

RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain: NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUZ84

 

 
Back to Top