Справочник MOSFET. CE3512K2

 

CE3512K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CE3512K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.027 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 19 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-X
 

 Аналог (замена) для CE3512K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CE3512K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  cel
 ce3512k2.pdf pdf_icon

CE3512K2

RF Low Noise FET CE3512K2 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG Enter a Short Document/Title Name Here DESCRIPTION PACKAGE Super Low Noise and High Gain Micro-X plastic package Hollow (Air Cavity) Plastic package FEATURES Super Low noise figure and high associated gain: NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.7 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz APPLI

Другие MOSFET... IRFS641 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , MMIS60R580P , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW .

History: HAT2202C | 2SJ188 | MVGSF1N03L | BLL1214-250R | IRLR130A

 

 
Back to Top

 


 
.