C3M0065090D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: C3M0065090D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 19 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 30.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET C3M0065090D

C3M0065090D Datasheet (PDF)

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c3m0065090d.pdf

VDS 900 VID @ 25C 36 AC3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

7.1. Size:1218K cree
c3m0065100k.pdf

VDS 1000 VID @ 25C 35 AC3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3MTM SiC MOSFET technologyTAB Optimized package with separate driver source pinDrain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

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Liste

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