C3M0065090D Todos los transistores

 

C3M0065090D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C3M0065090D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 19 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO247

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C3M0065090D datasheet

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C3M0065090D

VDS 900 V ID @ 25 C 36 A C3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits

 7.1. Size:1218K  cree
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C3M0065090D

VDS 1000 V ID @ 25 C 35 A C3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3MTM SiC MOSFET technology TAB Optimized package with separate driver source pin Drain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

Otros transistores... IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , IRFZ46N , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S .

History: 2SK2315 | SPC4N65G | 2SK2272-01R

 

 

 

 

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