Справочник MOSFET. C3M0065090D

 

C3M0065090D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C3M0065090D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 19 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для C3M0065090D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0065090D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1010K  cree
 c3m0065090d.pdf pdf_icon

C3M0065090D

VDS 900 VID @ 25C 36 AC3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

 7.1. Size:1218K  cree
 c3m0065100k.pdf pdf_icon

C3M0065090D

VDS 1000 VID @ 25C 35 AC3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3MTM SiC MOSFET technologyTAB Optimized package with separate driver source pinDrain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

Другие MOSFET... IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , STP65NF06 , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S .

 

 
Back to Top

 


 
.