C3M0065100K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C3M0065100K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 19 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Encapsulados: TO247-4
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C3M0065100K datasheet
c3m0065100k.pdf
VDS 1000 V ID @ 25 C 35 A C3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3MTM SiC MOSFET technology TAB Optimized package with separate driver source pin Drain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc
c3m0065090d.pdf
VDS 900 V ID @ 25 C 36 A C3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits
Otros transistores... AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , IRF830 , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 .
History: FDMS0310S
History: FDMS0310S
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