C3M0065100K Todos los transistores

 

C3M0065100K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C3M0065100K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 19 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4
 

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C3M0065100K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  cree
 c3m0065100k.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 1000 VID @ 25C 35 AC3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3MTM SiC MOSFET technologyTAB Optimized package with separate driver source pinDrain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

 7.1. Size:1010K  cree
 c3m0065090d.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 900 VID @ 25C 36 AC3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

Otros transistores... AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , P0903BDG , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 .

History: JMTL3406A | PTA04N100 | IPP16CN10N | AP9578GI-HF | SSW60R130S2 | QM3058M6 | NTTFS4932NTAG

 

 
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