C3M0065100K - описание и поиск аналогов

 

C3M0065100K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C3M0065100K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 19 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для C3M0065100K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0065100K даташит

 ..1. Size:1218K  cree
 c3m0065100k.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 1000 V ID @ 25 C 35 A C3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3MTM SiC MOSFET technology TAB Optimized package with separate driver source pin Drain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

 7.1. Size:1010K  cree
 c3m0065090d.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 900 V ID @ 25 C 36 A C3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits

Другие MOSFET... AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , IRF830 , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.