Справочник MOSFET. C3M0065100K

 

C3M0065100K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C3M0065100K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 19 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для C3M0065100K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0065100K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  cree
 c3m0065100k.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 1000 VID @ 25C 35 AC3M0065100K RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3MTM SiC MOSFET technologyTAB Optimized package with separate driver source pinDrain 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switc

 7.1. Size:1010K  cree
 c3m0065090d.pdf pdf_icon

C3M0065100K

VDS 900 VID @ 25C 36 AC3M0065090D RDS(on) 65 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

Другие MOSFET... AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , IRF1405 , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 .

History: AM4922N | IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.