C3M0120090D Todos los transistores

 

C3M0120090D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C3M0120090D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 19 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: TO247

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C3M0120090D datasheet

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C3M0120090D

VDS 900 V ID @ 25 C 23 A C3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits

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C3M0120090D

VDS 900 V ID @ 25 C 22 A C3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3M SiC MOSFET technology TAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

Otros transistores... APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , IRLB3034 , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA .

 

 

 

 

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