Справочник MOSFET. C3M0120090D

 

C3M0120090D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C3M0120090D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 19 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для C3M0120090D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0120090D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  cree
 c3m0120090d.pdf pdf_icon

C3M0120090D

VDS 900 VID @ 25C 23 AC3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

 4.1. Size:1031K  cree
 c3m0120090j.pdf pdf_icon

C3M0120090D

VDS 900 VID @ 25C 22 AC3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3M SiC MOSFET technologyTAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

Другие MOSFET... APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , 60N06 , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA .

 

 
Back to Top

 


 
.