C3M0120090D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: C3M0120090D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 19 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для C3M0120090D
C3M0120090D Datasheet (PDF)
c3m0120090d.pdf
VDS 900 VID @ 25C 23 AC3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits
c3m0120090j.pdf
VDS 900 VID @ 25C 22 AC3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3M SiC MOSFET technologyTAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
