C3M0120090J Todos los transistores

 

C3M0120090J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C3M0120090J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: D2PAK-7L

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C3M0120090J datasheet

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C3M0120090J

VDS 900 V ID @ 25 C 22 A C3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3M SiC MOSFET technology TAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

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C3M0120090J

VDS 900 V ID @ 25 C 23 A C3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits

Otros transistores... AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , IRF9640 , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M .

 

 

 

 

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