C3M0120090J Todos los transistores

 

C3M0120090J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C3M0120090J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7L
 

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C3M0120090J Datasheet (PDF)

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C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 22 AC3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3M SiC MOSFET technologyTAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

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C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 23 AC3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

Otros transistores... AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , AON7403 , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M .

History: VBL1806 | FQP18N20V2 | DMN3404L | H7N0405LM | AFN4822S | IPA60R385CP | TK07H90A

 

 
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