C3M0120090J - описание и поиск аналогов

 

C3M0120090J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C3M0120090J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для C3M0120090J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0120090J даташит

 ..1. Size:1031K  cree
 c3m0120090j.pdf pdf_icon

C3M0120090J

VDS 900 V ID @ 25 C 22 A C3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package New C3M SiC MOSFET technology TAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

 4.1. Size:897K  cree
 c3m0120090d.pdf pdf_icon

C3M0120090J

VDS 900 V ID @ 25 C 23 A C3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits

Другие MOSFET... AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , IRF9640 , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M .

History: 2SK1821

 

 

 

 

↑ Back to Top
.