Справочник MOSFET. C3M0120090J

 

C3M0120090J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: C3M0120090J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17.3 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L

 Аналог (замена) для C3M0120090J

 

 

C3M0120090J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1031K  cree
 c3m0120090j.pdf

C3M0120090J C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 22 AC3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3M SiC MOSFET technologyTAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

 4.1. Size:897K  cree
 c3m0120090d.pdf

C3M0120090J C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 23 AC3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top