Справочник MOSFET. C3M0120090J

 

C3M0120090J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C3M0120090J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
 

 Аналог (замена) для C3M0120090J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C3M0120090J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1031K  cree
 c3m0120090j.pdf pdf_icon

C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 22 AC3M0120090J RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package New C3M SiC MOSFET technologyTAB Drain High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low

 4.1. Size:897K  cree
 c3m0120090d.pdf pdf_icon

C3M0120090J

VDS 900 VID @ 25C 23 AC3M0120090D RDS(on) 120 m Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliantBenefits

Другие MOSFET... AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , AON7403 , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M .

History: ME2325-G | IRFZ46NPBF | SIA438EDJ | TPCP8101

 

 
Back to Top

 


 
.