AD50N06S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AD50N06S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Encapsulados: TO252
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AD50N06S datasheet
ad50n06s.pdf
AD50N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 60V 20m @10V 50A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson Power switching application Fully characterized avalanche voltage and current Hard switched and high frequency circuits Good stability and uniformity with high EAS Uninterruptible power supply Excellent p
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