AD50N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AD50N06S
Código: D50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Tiempo de subida (tr): 5.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 159 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0205 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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AD50N06S Datasheet (PDF)
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AD50N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 60V 20m@10V 50A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson Power switching application Fully characterized avalanche voltage and current Hard switched and high frequency circuits Good stability and uniformity with high EAS Uninterruptible power supply Excellent p
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