AD50N06S - описание и поиск аналогов

 

AD50N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AD50N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AD50N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AD50N06S даташит

 ..1. Size:1054K  anbon
 ad50n06s.pdf pdf_icon

AD50N06S

AD50N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 60V 20m @10V 50A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson Power switching application Fully characterized avalanche voltage and current Hard switched and high frequency circuits Good stability and uniformity with high EAS Uninterruptible power supply Excellent p

Другие MOSFET... C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , EMB04N03H , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 .

History: SVT068R5NSTR | STH410N4F7-2AG | MTP20N15EG | H05N60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.