Справочник MOSFET. AD50N06S

 

AD50N06S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AD50N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AD50N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AD50N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  anbon
 ad50n06s.pdf pdf_icon

AD50N06S

AD50N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 60V 20m@10V 50A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson Power switching application Fully characterized avalanche voltage and current Hard switched and high frequency circuits Good stability and uniformity with high EAS Uninterruptible power supply Excellent p

Другие MOSFET... C2M1000170J , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , 2SK3918 , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 .

History: IXTQ26N50P | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | CS7N70F | MP15N60EIC | FDFME2P823ZT

 

 
Back to Top

 


 
.