AD90N03S Todos los transistores

 

AD90N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AD90N03S
   Código: D90N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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AD90N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  anbon
ad90n03s.pdf

AD90N03S
AD90N03S

AD90N03S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 5.8m@10V 30V 90A 8.0m@4.5V Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC converters Fully characterized avalanche voltage and current Synchronous Rectifier Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation Package

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