Справочник MOSFET. AD90N03S

 

AD90N03S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AD90N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AD90N03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AD90N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  anbon
 ad90n03s.pdf pdf_icon

AD90N03S

AD90N03S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 5.8m@10V 30V 90A 8.0m@4.5V Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC converters Fully characterized avalanche voltage and current Synchronous Rectifier Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation Package

Другие MOSFET... C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , MMD60R360PRH , AO6385 , AS0130KA , AS2003M , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.