AS2003M Todos los transistores

 

AS2003M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS2003M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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AS2003M Datasheet (PDF)

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AS2003M

AS2003M N and P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V R I V R I (BR)DSS DS(on)MAX D (BR)DSS DS(on)MAX D35m@4.5V 75m@-4.5V 20V 3A -20V -3A 55m@2.5V 100m@-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23

Otros transistores... C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , BS170 , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 .

History: IAUC120N04S6N010 | 2SK3987-01S | H6N70U | 2N3384 | IRFIZ44G | MMF80R450PTH

 

 
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