AS2003M Todos los transistores

 

AS2003M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AS2003M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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AS2003M datasheet

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AS2003M

AS2003M N and P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V R I V R I (BR)DSS DS(on)MAX D (BR)DSS DS(on)MAX D 35m @4.5V 75m @-4.5V 20V 3A -20V -3A 55m @2.5V 100m @-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23

Otros transistores... C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AO4407A , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 .

History: TK4P60D | TK45S06K3L | TK46A08N1

 

 

 

 

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