AS2003M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AS2003M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для AS2003M
AS2003M Datasheet (PDF)
as2003m.pdf
AS2003M N and P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V R I V R I (BR)DSS DS(on)MAX D (BR)DSS DS(on)MAX D35m@4.5V 75m@-4.5V 20V 3A -20V -3A 55m@2.5V 100m@-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23
Другие MOSFET... C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AO4407A , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 .
History: IRFR7446PBF | IPA057N06N3G | BUZ22
History: IRFR7446PBF | IPA057N06N3G | BUZ22
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики


