Справочник MOSFET. AS2003M

 

AS2003M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AS2003M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS2003M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1445K  anbon
 as2003m.pdf pdf_icon

AS2003M

AS2003M N and P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V R I V R I (BR)DSS DS(on)MAX D (BR)DSS DS(on)MAX D35m@4.5V 75m@-4.5V 20V 3A -20V -3A 55m@2.5V 100m@-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23

Другие MOSFET... C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AO3407 , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 .

 

 
Back to Top

 


 
.