BM2300 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BM2300
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BM2300

BM2300 Datasheet (PDF)

..1. Size:309K 1
bm2300.pdf

BM2300 N Channel Enhancement Mode MOSFET 4A DESCRIPTION The BM2300 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook

..2. Size:4679K born
bm2300.pdf

BM2300MOSFET ROHSN-Channel MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V 20 DSV Gate-Source Voltage V 12 GSContinuous Drain Cur

9.1. Size:672K cn vbsemi
vbm2309.pdf

VBM2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55APPLICATIONS Load SwitchTO-220AB Notebook Adaptor SwitchS G G D STop View

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Liste

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