BM3416E Todos los transistores

 

BM3416E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BM3416E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 345 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BM3416E Datasheet (PDF)

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BM3416E

BM3416EMOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for

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BM3416E

BM3415EMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplicationsV R Typ I Max(BR)DSS DS(ON) D Load Switch37m @-4.5V Switching circuits-20V -4.8A High-speed line driver43m @ -3.3V Power Manage

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History: MTP2955V | SNN060L10NL | IPU075N03L | ME45P04 | AO4404 | WST3427 | STB6NM60N

 

 
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