BM3416E Todos los transistores

 

BM3416E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BM3416E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 345 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de BM3416E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BM3416E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1829K  born
 bm3416e.pdf pdf_icon

BM3416E

BM3416EMOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for

 9.1. Size:1369K  born
 bm3415e.pdf pdf_icon

BM3416E

BM3415EMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplicationsV R Typ I Max(BR)DSS DS(ON) D Load Switch37m @-4.5V Switching circuits-20V -4.8A High-speed line driver43m @ -3.3V Power Manage

Otros transistores... AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , IRFZ44 , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB .

History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N

 

 
Back to Top

 


 
.