BM3416E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BM3416E
Código: A6EF3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.56 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 8.3 nC
Tiempo de subida (tr): 345 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BM3416E
BM3416E Datasheet (PDF)
bm3416e.pdf
BM3416EMOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for
bm3415e.pdf
BM3415EMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplicationsV R Typ I Max(BR)DSS DS(ON) D Load Switch37m @-4.5V Switching circuits-20V -4.8A High-speed line driver43m @ -3.3V Power Manage
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