BM3416E - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BM3416E. Основные параметры


   Наименование производителя: BM3416E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 345 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BM3416E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BM3416E даташит

 ..1. Size:1829K  born
 bm3416e.pdf pdf_icon

BM3416E

BM3416E MOSFET ROHS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS Compliant Applications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portables V R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for

 9.1. Size:1369K  born
 bm3415e.pdf pdf_icon

BM3416E

BM3415E MOSFET ROHS P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS Compliant Applications V R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Load Switch 37m @-4.5V Switching circuits -20V -4.8A High-speed line driver 43m @ -3.3V Power Manage

Другие MOSFET... AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , IRFZ44 , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.