BML6401 Todos los transistores

 

BML6401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BML6401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BML6401 datasheet

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BML6401

BML6401 MOSFET ROHS P-Channel MOSFET SOT-23 - Features Ultra low on-resistance. Fast switching. Marking 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8 ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3

 8.1. Size:1348K  born
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BML6401

BML6402 MOSFET ROHS P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance MAXIMUM RANTINGS Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source Voltage BV -20 V DSS Gate- Source Voltage V +12 V GS Drain Current (continuous) I -3.7 A D Drain Current (pulsed) I -15 A DM Total Device Dis

Otros transistores... AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , BM3416E , IRF640 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA .

History: SUD40N02-3M3P | BF999 | IRF7342QPBF | AP0203GMT-HF | HCD80R1K2 | JCS10N60BT | AOU2N60

 

 

 

 

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