BML6401 Todos los transistores

 

BML6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BML6401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BML6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4041K  born
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BML6401

BML6401MOSFET ROHSP-Channel MOSFET SOT-23-Features Ultra low on-resistance. Fast switching.Marking: 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12V Gate-Source Voltage VGS8ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3

 8.1. Size:1348K  born
 bml6402.pdf pdf_icon

BML6401

BML6402MOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max UnitDrain-Source Voltage BV -20 VDSSGate- Source VoltageV +12 VGSDrain Current (continuous)I -3.7 ADDrain Current (pulsed) I -15 ADMTotal Device Dis

Otros transistores... AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , BM3416E , IRFP460 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA .

History: HSW2N15 | HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | 2SK65 | CEF02N6G

 

 
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