BML6401 - описание и поиск аналогов

 

BML6401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BML6401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BML6401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BML6401 даташит

 ..1. Size:4041K  born
 bml6401.pdf pdf_icon

BML6401

BML6401 MOSFET ROHS P-Channel MOSFET SOT-23 - Features Ultra low on-resistance. Fast switching. Marking 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8 ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3

 8.1. Size:1348K  born
 bml6402.pdf pdf_icon

BML6401

BML6402 MOSFET ROHS P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance MAXIMUM RANTINGS Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source Voltage BV -20 V DSS Gate- Source Voltage V +12 V GS Drain Current (continuous) I -3.7 A D Drain Current (pulsed) I -15 A DM Total Device Dis

Другие MOSFET... AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , BM3416E , IRF640 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.