Справочник MOSFET. BML6401

 

BML6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BML6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BML6401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BML6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4041K  born
 bml6401.pdf pdf_icon

BML6401

BML6401MOSFET ROHSP-Channel MOSFET SOT-23-Features Ultra low on-resistance. Fast switching.Marking: 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12V Gate-Source Voltage VGS8ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3

 8.1. Size:1348K  born
 bml6402.pdf pdf_icon

BML6401

BML6402MOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max UnitDrain-Source Voltage BV -20 VDSSGate- Source VoltageV +12 VGSDrain Current (continuous)I -3.7 ADDrain Current (pulsed) I -15 ADMTotal Device Dis

Другие MOSFET... AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , BM3416E , IRFP460 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.