BML6402 Todos los transistores

 

BML6402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BML6402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BML6402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  born
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BML6402

BML6402MOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max UnitDrain-Source Voltage BV -20 VDSSGate- Source VoltageV +12 VGSDrain Current (continuous)I -3.7 ADDrain Current (pulsed) I -15 ADMTotal Device Dis

 8.1. Size:4041K  born
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BML6402

BML6401MOSFET ROHSP-Channel MOSFET SOT-23-Features Ultra low on-resistance. Fast switching.Marking: 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12V Gate-Source Voltage VGS8ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3

Otros transistores... AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , BM3415E , BM3416E , BML6401 , IRF1404 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA , ASDM3010 .

History: SWYS069R10VS | CHM5506JGP | STU70N2LH5 | PMCXB900UE | IXTH130N15T | APM2309AC | RSS090P03FU6TB

 

 
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