BML6402 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BML6402
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время включения (ton): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BML6402 Datasheet (PDF)
bml6402.pdf
BML6402MOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max UnitDrain-Source Voltage BV -20 VDSSGate- Source VoltageV +12 VGSDrain Current (continuous)I -3.7 ADDrain Current (pulsed) I -15 ADMTotal Device Dis
bml6401.pdf
BML6401MOSFET ROHSP-Channel MOSFET SOT-23-Features Ultra low on-resistance. Fast switching.Marking: 6401 Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12V Gate-Source Voltage VGS8ID Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25 -4.3
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
