ASDM20P09ZB Todos los transistores

 

ASDM20P09ZB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASDM20P09ZB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ASDM20P09ZB datasheet

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ASDM20P09ZB

ASDM20P09ZB -20V P-Channel MOSFET Product Summary General Features R

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ASDM20P09ZB

ASDM20N12ZB 20V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Features 20V/12A V DS 20 V Super High Dense Cell Design R DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and Rugged I D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top view D G S SOT-23-3 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C Unless O

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ASDM20P09ZB

ASDM2301ZA 20V P-CHANNEL MOSFET Features Product Summary High Power and current handing capability VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired (Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package -20V 65m 83m -3 A Application PWM applications Load switch Power management top view D G SOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless other

Otros transistores... BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , IRFB4227 , ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E , ASDM30N65E .

History: 8N40

 

 

 

 

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