ASDM20P09ZB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASDM20P09ZB
Código: 20P09
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASDM20P09ZB
ASDM20P09ZB Datasheet (PDF)
asdm20p09zb.pdf
ASDM20P09ZB-20V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R
asdm20n12zb.pdf
ASDM20N12ZB20V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures 20V/12AV DS 20 V Super High Dense Cell DesignR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and RuggedI D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top viewDGSSOT-23-3Absolute Maximum Ratings (TA=25C Unless O
asdm2301za.pdf
ASDM2301ZA20V P-CHANNEL MOSFET FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired(Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package-20V65m 83m -3AApplication PWM applicationsLoad switchPower managementtop viewDGSOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25unless other
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History: GSM2343A
