Справочник MOSFET. ASDM20P09ZB

 

ASDM20P09ZB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM20P09ZB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ASDM20P09ZB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM20P09ZB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ascend
 asdm20p09zb.pdf pdf_icon

ASDM20P09ZB

ASDM20P09ZB-20V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R

 8.1. Size:491K  ascend
 asdm20n12zb.pdf pdf_icon

ASDM20P09ZB

ASDM20N12ZB20V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures 20V/12AV DS 20 V Super High Dense Cell DesignR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and RuggedI D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top viewDGSSOT-23-3Absolute Maximum Ratings (TA=25C Unless O

 9.1. Size:830K  ascend
 asdm2301za.pdf pdf_icon

ASDM20P09ZB

ASDM2301ZA20V P-CHANNEL MOSFET FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired(Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package-20V65m 83m -3AApplication PWM applicationsLoad switchPower managementtop viewDGSOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25unless other

Другие MOSFET... BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB , AON6414A , ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E , ASDM30N65E .

History: IRFR9014PBF | IRF7702PBF | IRLL024ZPBF | RD3T100CN | STF12N120K5 | IPS60R3K4CE

 

 
Back to Top

 


 
.