CR4N65FA9K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CR4N65FA9K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CR4N65FA9K

CR4N65FA9K Datasheet (PDF)

..1. Size:437K crhj
cr4n65fa9k.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65F A9K General Description VDSS 650 V CR4N65F A9K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi

8.1. Size:434K crhj
cr4n65a4k.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65 A4K General Description VDSS 650 V CR4N65 A4K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching

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Liste

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