CR4N65FA9K Todos los transistores

 

CR4N65FA9K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CR4N65FA9K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CR4N65FA9K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CR4N65FA9K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  crhj
 cr4n65fa9k.pdf pdf_icon

CR4N65FA9K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65F A9K General Description VDSS 650 V CR4N65F A9K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi

 8.1. Size:434K  crhj
 cr4n65a4k.pdf pdf_icon

CR4N65FA9K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65 A4K General Description VDSS 650 V CR4N65 A4K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching

Otros transistores... ASDM3404ZA , ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , IRF9540N , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N .

History: SSE90P06-08P | SSF80R1K3S | NCE8580 | TSM150P04LCS | CRTD055N03L | TMAN12N80AZ

 

 
Back to Top

 


 
.