Справочник MOSFET. CR4N65FA9K

 

CR4N65FA9K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CR4N65FA9K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CR4N65FA9K

 

 

CR4N65FA9K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  crhj
 cr4n65fa9k.pdf

CR4N65FA9K CR4N65FA9K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65F A9K General Description VDSS 650 V CR4N65F A9K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi

 8.1. Size:434K  crhj
 cr4n65a4k.pdf

CR4N65FA9K CR4N65FA9K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65 A4K General Description VDSS 650 V CR4N65 A4K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top