CRJD390N65GC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRJD390N65GC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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CRJD390N65GC Datasheet (PDF)
..1. Size:426K crhj
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CRJD390N65GC() SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39, 11AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39ID11AApplications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
