CRJD390N65GC Todos los transistores

 

CRJD390N65GC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRJD390N65GC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO252

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CRJD390N65GC datasheet

 ..1. Size:426K  crhj
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CRJD390N65GC

CRJD390N65GC ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39 , 11A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39 ID 11A Applications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested

Otros transistores... ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , K4145 , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N .

History: MEE4294K-G | IAUC90N10S5N062 | MEE4294P-G

 

 

 

 

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