CRJD390N65GC Todos los transistores

 

CRJD390N65GC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRJD390N65GC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CRJD390N65GC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  crhj
 crjd390n65gc.pdf pdf_icon

CRJD390N65GC

CRJD390N65GC() SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39, 11AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39ID11AApplications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested

Otros transistores... ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , IRFB3607 , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N .

History: AP0603GH | SRT12N058HD56 | AP2P9R0LYT

 

 
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