CRJD390N65GC - описание и поиск аналогов

 

CRJD390N65GC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRJD390N65GC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CRJD390N65GC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJD390N65GC даташит

 ..1. Size:426K  crhj
 crjd390n65gc.pdf pdf_icon

CRJD390N65GC

CRJD390N65GC ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39 , 11A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39 ID 11A Applications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , K4145 , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N .

History: CPH3459 | BTS140A | SMF10N60 | DN3135 | IGT60R070D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.