CRJD390N65GC - аналоги и даташиты транзистора

 

CRJD390N65GC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRJD390N65GC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CRJD390N65GC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJD390N65GC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  crhj
 crjd390n65gc.pdf pdf_icon

CRJD390N65GC

CRJD390N65GC() SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39, 11AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39ID11AApplications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , IRFB3607 , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N .

History: H5N2515P

 

 
Back to Top

 


 
.