CRSD082N10L2 Todos los transistores

 

CRSD082N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRSD082N10L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 457 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  crhj
 crsd082n10l2.pdf pdf_icon

CRSD082N10L2

CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HUFA75309D3S | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | IRLB3036 | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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