CRSD082N10L2 Todos los transistores

 

CRSD082N10L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRSD082N10L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 457 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: TO252

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CRSD082N10L2 datasheet

 ..1. Size:588K  crhj
 crsd082n10l2.pdf pdf_icon

CRSD082N10L2

CRSD082N10L2 ( ) SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m , 78A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 9m ID Qualified according to JEDEC criteria 78A Applications Synchronous Rectification for

Otros transistores... ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , 13N50 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N .

History: SK2300A | 2SK1081-01 | AP3A010MT | DMP4015SPSQ | ASDM3404ZA | SUM110N03-03P | SMF5N65

 

 

 

 

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