CRSD082N10L2 Todos los transistores

 

CRSD082N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRSD082N10L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 457 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  crhj
 crsd082n10l2.pdf pdf_icon

CRSD082N10L2

CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for

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History: SWD026R03VT | H5N3005LD | CRST040N10N | VBA1210 | NTD6416ANT | TPCC8A01-H | IRF7759L2TRPBF

 

 
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