CRSD082N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRSD082N10L2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 101 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 78 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 44.5 nC
Tiempo de subida (tr): 62 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 457 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CRSD082N10L2
CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)
..1. Size:588K crhj
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CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for
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