CRSD082N10L2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CRSD082N10L2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 101 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 78 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44.5 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 457 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0086 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CRSD082N10L2
CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)
..1. Size:588K crhj
crsd082n10l2.pdf
crsd082n10l2.pdf
CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
