Справочник MOSFET. CRSD082N10L2

 

CRSD082N10L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRSD082N10L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 457 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CRSD082N10L2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  crhj
 crsd082n10l2.pdf pdf_icon

CRSD082N10L2

CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for

Другие MOSFET... ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , TK10A60D , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N .

History: RU30D8H | IRFAC32 | SI7107DN | SI4966DY | NTP90N02 | SI7405BDN | SRT10N047HTF

 

 
Back to Top

 


 
.