Справочник MOSFET. CRSD082N10L2

 

CRSD082N10L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRSD082N10L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 457 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSD082N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  crhj
 crsd082n10l2.pdf pdf_icon

CRSD082N10L2

CRSD082N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 7.2m, 78AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ7.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ9mID Qualified according to JEDEC criteria 78AApplications Synchronous Rectification for

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: UPA1717G | IXFH15N100 | IRFB23N20D | HGD170N10A | IRF3707SPBF | IXTH30N45 | AP6680BGM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.