CRSE120N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRSE120N10L2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de CRSE120N10L2 MOSFET
CRSE120N10L2 Datasheet (PDF)
crse120n10l2.pdf

CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f
Otros transistores... ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , RFP50N06 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N .
History: TPCF8002 | CS75N75B8H | IRF2204S | SIHFBC40L | TK380P65Y | 2SK2580 | SI5906DU
History: TPCF8002 | CS75N75B8H | IRF2204S | SIHFBC40L | TK380P65Y | 2SK2580 | SI5906DU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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