CRSE120N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRSE120N10L2
Código: SE120N10L2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 28.2 nC
Tiempo de subida (tr): 81 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 277 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0132 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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CRSE120N10L2 Datasheet (PDF)
..1. Size:457K crhj
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CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f
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