CRSE120N10L2 Todos los transistores

 

CRSE120N10L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRSE120N10L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de CRSE120N10L2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CRSE120N10L2 datasheet

 ..1. Size:457K  crhj
 crse120n10l2.pdf pdf_icon

CRSE120N10L2

CRSE120N10L2 ( ) SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m , 11A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 14.0m ID Qualified according to JEDEC criteria 11A Applications Synchronous Rectification f

Otros transistores... ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , AON7410 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N .

History: WSR80N06 | IPD65R1K5CE | DMP32D9UFZ | JMSH2010BTL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.