CRSE120N10L2 Todos los transistores

 

CRSE120N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRSE120N10L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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CRSE120N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  crhj
 crse120n10l2.pdf pdf_icon

CRSE120N10L2

CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f

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History: FQU2N90TUAM002 | STD7N65M2 | APT50M80LVFRG | AP0403GH-HF | 2SK3453 | UPA1774 | BRD640

 

 
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