CRSE120N10L2 - описание и поиск аналогов

 

CRSE120N10L2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRSE120N10L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для CRSE120N10L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSE120N10L2 даташит

 ..1. Size:457K  crhj
 crse120n10l2.pdf pdf_icon

CRSE120N10L2

CRSE120N10L2 ( ) SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m , 11A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 14.0m ID Qualified according to JEDEC criteria 11A Applications Synchronous Rectification f

Другие MOSFET... ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , AON7410 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N .

History: CRST040N10N | AOT25S65L | AOTF3N100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.