Справочник MOSFET. CRSE120N10L2

 

CRSE120N10L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRSE120N10L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSE120N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  crhj
 crse120n10l2.pdf pdf_icon

CRSE120N10L2

CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STL57N65M5 | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | FTK9451 | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.