CRSM053N08N Todos los transistores

 

CRSM053N08N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRSM053N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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CRSM053N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  1
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CRSM053N08N

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T

 ..2. Size:500K  crhj
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CRSM053N08N

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T

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History: 2SK1980 | VBA1210 | CRST040N10N | HM35P03D | SIHFBE30S | IXTP2N100A | CR4N65FA9K

 

 
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