CRSM053N08N Todos los transistores

 

CRSM053N08N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRSM053N08N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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CRSM053N08N datasheet

 ..1. Size:500K  1
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CRSM053N08N

CRSM053N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m , 60A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche T

 ..2. Size:500K  crhj
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CRSM053N08N

CRSM053N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m , 60A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche T

Otros transistores... ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , 12N60 , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N .

History: DSK3J02 | BTS247Z | SIJ470DP | 2SK3646-01SJ | IPD60R600P7 | RZF030P01 | RXH125N03

 

 

 

 

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